鋁基碳化硅的性能特點(diǎn)

  鋁基碳化硅的應(yīng)用非常廣泛，這種新材料的應(yīng)用也是我們國內(nèi)電子產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展的一個重要的標(biāo)志，鈞杰陶瓷專業(yè)加工各種陶瓷材料，和陶瓷復(fù)合材料，鋁基碳化硅這種材料我們可以進(jìn)行精密加工，開孔，銑槽，甚至是螺紋加工都可以做到高精度，鋁基碳化硅緊密加工鈞杰陶瓷：134_128_56568。

■ AlSiC（鋁基碳化硅）具有高導(dǎo)熱率（180～240W/mK）和可調(diào)的熱膨脹系數(shù)（6.5～9.5×10-6/K），因此一方面AlSiC（鋁基碳化硅）的熱膨脹系數(shù)與半導(dǎo)體芯片 和陶瓷基片實(shí)現(xiàn)良好的匹配，能夠防止疲勞失效的產(chǎn)生,甚至可以將功率芯片直接安裝到AlSiC（鋁基碳化硅）基板上；另一方面AlSiC（鋁基碳化硅）的熱導(dǎo)率是可伐合金的十倍，芯片 產(chǎn)生的熱量可以及時散發(fā)。這樣，整個元器件的可靠性和穩(wěn)定性大大提高。

■ AlSiC（鋁基碳化硅）是復(fù)合材料，其熱膨脹系數(shù)等性能可通過改變其組成而加以調(diào)整，因此產(chǎn)品可按用戶的具體要求而靈活地設(shè)計(jì)，能夠真正地做到量體裁衣，這是傳統(tǒng)的金 屬材料或陶瓷材料無法作到的。

■ AlSiC（鋁基碳化硅）的密度與鋁相當(dāng)，比銅和Kovar輕得多，還不到Cu/W的五分之一，特別適合于便攜式器件、航空航天和其他對重量敏感領(lǐng)域的應(yīng)用。

■ AlSiC（鋁基碳化硅）的比剛度（剛度除以密度）是所有電子材料中最高的：是鋁的3倍，是W-Cu和Kovar的5倍，是銅的25倍，另外AlSiC（鋁基碳化硅）的抗震性比陶瓷好，因此是惡劣環(huán)境（震動較大，如航天、汽車等領(lǐng)域）下的首選材料。

■ AlSiC（鋁基碳化硅）可以大批量加工，但加工的工藝取決于碳化硅的含量，可以用電火花、金剛石、激光等加工。

■ AlSiC（鋁基碳化硅）可以鍍鎳、金、錫等，表面也可以進(jìn)行陽極氧化處理。

■ 金屬化的陶瓷基片可以釬焊到鍍好的AlSiC（鋁基碳化硅）基板上，用粘結(jié)劑、樹脂可以將印制電路板芯與AlSiC（鋁基碳化硅）粘合。

■ AlSiC（鋁基碳化硅）本身具有較好的氣密性。但是，與金屬或陶瓷封裝后的氣密性取決于合適的鍍層和焊接。

■ AlSiC（鋁基碳化硅）的物理性能及力學(xué)性能都是各向同性的。 使用AlSiC（鋁基碳化硅）材料的意義

■ 可以使集成電路的封裝性能大幅提高，使用鋁碳化硅材料進(jìn)行電子封裝，使封裝體與芯片的受熱膨脹相一致，并起到良好的導(dǎo)熱功能，解決了電路的熱失效問題；

■ 批量使用AlSiC（鋁基碳化硅）材料，可以降低封裝成本。本公司對于長期和大批量的訂貨實(shí)行特別優(yōu)惠，比目前使用W-Cu、Mo等貴金屬材料價格要便宜得多；

■ 有效改良我國航天、軍事、微波和其他功率微電子領(lǐng)域封裝技術(shù)水平，提高功能，降低成本，加快我國航天和軍工產(chǎn)品的先進(jìn)化。例如，過去以可伐（Kovar） 材料作為器件封裝外殼的地方，如果換作鋁碳化硅外殼，重量就可減少為原來的三分之一，而導(dǎo)熱性能則增加為原來的十倍。

■ AlSiC（鋁基碳化硅）封裝材料的開發(fā)成功，標(biāo)志著中國企業(yè)不再是在封裝領(lǐng)域內(nèi)一個單純的藍(lán)領(lǐng)和加工者的角色，而是已經(jīng)有了自己的具備獨(dú)立技術(shù)內(nèi)核的封裝領(lǐng)先產(chǎn)品，填 補(bǔ)了國內(nèi)空白，在封裝領(lǐng)域內(nèi)是一項(xiàng)巨大的技術(shù)進(jìn)步；使用西安創(chuàng)正新材料有限公司生產(chǎn)的AlSiC（鋁基碳化硅）,就是支持民族工業(yè)，為相關(guān)領(lǐng)域的國產(chǎn)化做貢獻(xiàn)。

■ 優(yōu)優(yōu)越的性能使AlSiC（鋁基碳化硅）比W-Cu、Mo、BeO、Kovar、Mo-Cu、AlN、AlSi、Al2O3等現(xiàn)用封裝材料具有更廣闊的越的性能使AlSiC（鋁基碳化硅）比W-Cu、Mo、BeO、Kovar、Mo-Cu、AlN、AlSi、Al2O3等現(xiàn)用封裝材料具有更廣闊的使用空間 AlSiC（鋁基碳化硅）材料的性能 AlSiC（鋁基碳化硅）7牌號密度3.0±0.05 g/cm3;抗彎強(qiáng)度400MPa體積分?jǐn)?shù)：70±3%熱導(dǎo)：≥180W/Mk,20℃）比熱：0.75J/gk,20℃電阻率：2.1 x10-5 W·cm線膨脹系數(shù)8.0±0.5x10-6(50-150℃)

AlSiC（鋁基碳化硅）材料的應(yīng)用 大功率率IGBT 散熱基板；LED封裝照明；航空航天；微電子；殼體封裝；新能源汽車、民用飛機(jī)、高鐵等領(lǐng)域