氮化鋁陶瓷基板的發(fā)展動態(tài)

2021年2月23日，國瓷材料總經(jīng)理張兵在2020年度業(yè)績網(wǎng)上說明會上透露，公司氮化鋁陶瓷基板目前已完成中試，將在2021年實現(xiàn)量產(chǎn)。此前國瓷材料高導(dǎo)熱陶瓷基板項目公示材料顯示，項目建成后可實現(xiàn)年產(chǎn)氧化鋁粉體3000t，氮化鋁粉體200t，高導(dǎo)熱陶瓷基板200萬片。
據(jù)國瓷材料氮化鋁粉發(fā)明專利信息顯示，其氮化鋁粉采用一種高溫熔融法制備，以氨氣和氮氣混合氣體通入爐體與鋁粉發(fā)生反應(yīng)。該方法具備成本低，氮化鋁粉末純度高，球形度高，粒度分布窄，無結(jié)塊的優(yōu)點。
作為芯片承載材料，AlN陶瓷層可有效提高模塊的絕緣能力，而且氮化鋁陶瓷基板具有良好的導(dǎo)熱性，熱導(dǎo)率可以達到170-260W/mK。IGBT或SIC模塊在運行過程中，在芯片的表面會產(chǎn)生大量的熱量，這些熱量會通過陶瓷基板傳輸?shù)侥K散熱底板上，再通過底板上的導(dǎo)熱硅脂傳導(dǎo)于散熱器上，完成模塊的整體散熱流動。除此之外，AlN陶瓷還具備熱阻系數(shù)低、膨脹系數(shù)匹配、機械性能優(yōu)、焊接性能佳的顯著特點，采用氮化鋁陶瓷基板的IGBT模塊具有更好的熱疲勞穩(wěn)定性和更高的集成度。

氮化鋁陶瓷基板

東莞鈞杰陶瓷專業(yè)從事氮化鋁陶瓷基板精密加工，擁有CNC、激光機等多種先進加工設(shè)備。2020年公司氮化鋁陶瓷整體出貨量相較前一年增長了90%。今年公司將再度發(fā)力，重點布局半導(dǎo)體行業(yè)，將大力推廣氮化鋁陶瓷產(chǎn)品。