隨著半導(dǎo)體制造制程節(jié)點(diǎn)不斷推進(jìn)至5nm乃至2nm，晶圓檢測（Wafer Inspection）設(shè)備在晶圓品質(zhì)控制與良率提升中扮演著核心角色。檢測設(shè)備需在極高精度、超潔凈與穩(wěn)定的條件下運(yùn)行，任何微小的顆粒、熱漂移或機(jī)械振動(dòng)都可能造成檢測誤差。因此，設(shè)備中結(jié)

環(huán)槽式碳化硅（Ring-Groove SiC）晶圓卡盤是面向高溫、高功率制程與極限重復(fù)性需求的一種工程化夾持方案。采用碳化硅材料并在接觸面設(shè)計(jì)環(huán)形槽道，可同時(shí)解決熱管理、受力均勻性和顆粒污染三大痛點(diǎn)，提高良率與設(shè)備穩(wěn)定性。 材料與優(yōu)勢 碳化硅（SiC）兼具高熱導(dǎo)、低熱